DENKA

产品信息

电化TFE

产品信息

概要

电化TFE可以在钨单晶针状物的表面上形成覆有锆和氧的吸附层,从而被当作减少钨的功函数的肖特基发射极来使用。不但具有超过单晶体LaB6阴极100倍以上的光亮度而且能量偏差小,即使是低加速电压也可以有缩小探头直径的可能性。因此最适合应用在半导体材料和设备机械的表面观察上。 此外,不仅放射电流是极其稳定的,还寿命长,因此以半导体检查装置或电子束曝光设备为首,在各种电子束应用设备上被使用采纳。

特点

通过先进的针加工技术,制造出多种大小范围的曲率半径的芯片
因为偏差小,所以具备再现性能好的电子发射特点。
可以对应指定的电子枪的配置。
此外,也可以提供芯片,压缩机,引出电极为一体的模块形式。

用途

高分辨率扫描电子显微镜,透射分析电子显微镜,半导体测试装置(CD-SEM,DR-SEM EBI),电子束曝

联系我们

电子/尖端产品

电子零件材料部
TEL
+81-3-5290-5542
FAX
+81-3-5290-5289
  • 在使用前务必对产品进行测试以确认其适合性和安全性,这是客户的责任。
  • 本网站的任何产品及任何使用了本网站产品的产品都要依照法律法规使用和处理。
  • 使用前,请使用技术资料和材料安全数据表仔细确认使用方法、注意事项及其他相关信息。这些资料可从本公司的有关负责部门获取,请向他们提出申请。
  • 如因新的知识和见解需要对本网站所登载的内容进行更新,恕不另行通知。